Transwell小室跨膜電阻實(shí)驗(yàn)簡介

Transwell小室跨膜電阻（Transepithelial Electrical Resistance, TEER）實(shí)驗(yàn)是一種常用于評估細(xì)胞膜完整性和細(xì)胞層滲透性的技術(shù)。TEER值能夠反映細(xì)胞膜的電阻，從而間接衡量細(xì)胞層的緊密連接程度。在體外細(xì)胞模型中，如血腦屏障（BBB）模型，TEER值是評價模型功能的重要參數(shù)。

Transwell小室跨膜電阻實(shí)驗(yàn)步驟和關(guān)鍵要點(diǎn)

  1.細(xì)胞培養(yǎng)：選擇合適的細(xì)胞系進(jìn)行培養(yǎng)，以構(gòu)建具有特定功能的細(xì)胞層，如內(nèi)皮細(xì)胞或上皮細(xì)胞。

  2.Transwell小室準(zhǔn)備：使用含有透膜的Transwell小室，透膜通常由聚碳酸酯（PC）或聚四氟乙烯（PTFE）制成，孔徑大小根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求選擇。

  3.細(xì)胞接種：將細(xì)胞接種到Transwell小室的上室內(nèi)，使其附著并生長形成單層細(xì)胞。

  4.培養(yǎng)條件優(yōu)化：確保提供適宜的培養(yǎng)條件，包括溫度、CO2濃度和培養(yǎng)基，以促進(jìn)細(xì)胞的正確分化和緊密連接的形成。

  5.TEER值測量：使用專門的TEER測量儀器，如EndOhm Chamber，來測量細(xì)胞層的電阻值。在測量前，確保Transwell小室和電極清潔，避免污染和損壞。

  6.數(shù)據(jù)記錄和解析：記錄TEER值，并根據(jù)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)進(jìn)行適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)處理和解析。TEER值通常以Ω·cm2表示，較高的TEER值表明細(xì)胞層的屏障功能較強(qiáng)。

實(shí)驗(yàn)技巧和常見問題解決方案

  1.細(xì)胞狀態(tài)和成熟度：確保細(xì)胞達(dá)到適當(dāng)?shù)姆只癄顟B(tài)和成熟度，這可能需要進(jìn)行更長時間的培養(yǎng)或使用特定的培養(yǎng)條件和培養(yǎng)基。

  2.細(xì)胞-基質(zhì)相互作用：優(yōu)化細(xì)胞與透膜的相互作用，可能需要預(yù)涂層透膜，如使用膠原蛋白或膠原蛋白類似物等。

  3.培養(yǎng)條件和培養(yǎng)基：提供細(xì)胞所需的適當(dāng)培養(yǎng)條件和培養(yǎng)基，以支持細(xì)胞生長和屏障功能的形成。

  4.培養(yǎng)時間：繼續(xù)培養(yǎng)細(xì)胞并定期測量TEER，觀察其動態(tài)變化，以獲得最佳的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

  5.質(zhì)量控制：確保實(shí)驗(yàn)中使用的Transwell小室和測量設(shè)備的質(zhì)量良好，并按照操作說明正確操作。

時效性信息

根據(jù)最新的搜索結(jié)果，有關(guān)Transwell實(shí)驗(yàn)的討論和操作分享仍然是科研人員關(guān)注的話題。例如，有研究者分享了使用bEnd.3細(xì)胞構(gòu)建體外BBB模型時的TEER值范圍，以及可能影響電阻值的因素和解決方案。此外，還有關(guān)于Transwell實(shí)驗(yàn)操作的詳細(xì)步驟和技巧的分享，這些信息對于設(shè)計(jì)和執(zhí)行TEER實(shí)驗(yàn)非常有幫助。在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時，應(yīng)參考這些最新的實(shí)驗(yàn)操作和討論，以確保實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性和可靠性。